Сегодня TSMC представила техпроцесс ангстремного уровня A14 (1,4 нм). По расчётам компании, производство чипов с его применением станет возможным в 2028 году.
В сравнении с 2-нм техпроцессом N2 технология A14 сможет предложить 15%-ное увеличение частоты чипов либо 30%-ное снижение энергопотребления. Также новый техпроцесс на 20 % увеличит плотность размещения транзисторов на кристалле.
Первая версия техпроцесса A14, запланированная на 2028 год, не будет поддерживать подвод питания с обратной стороны кристалла. Эта возможность добавится только в 2029 году.
Вместе с этим TSMC анонсировала перспективные подходы для сборки чипов увеличенного размера. Новое поколение технологии CoWoS, намеченное к внедрению в 2027 году, позволит компании создавать чипы, укомплектованные 12 стеками HBM-памяти, на единой подложке.
Основанная на CoWoS технология SoW-X позволит выпускать многокристальные ИИ-ускорители размером с полупроводниковую пластину, на которые можно будет установить HBM-память и оптические соединения. Внедрение SoW-X намечено на 2027 год.
Также компания подтвердила, что техпроцесс N2 (2 нм) с GAA-транзисторами будет освоен во второй половине этого года. А освоение техпроцесса A16 (1,6 нм), в котором впервые появится подвод питания с обратной стороны кристалла, намечено на вторую половину 2026 года.
Ещё один перспективный техпроцесс, который TSMC собирается внедрить во второй половине 2025 года, — N3X. Его ключевым отличием от имеющихся 3-нм технологий станет поддержка повышенных напряжений, что позволит создавать чипы с более высокими частотами и производительностью.
По информации https://mail.google.com/mail/u/0/#inbox/FMfcgzQbdrPGnVWZGjKZDGfhVRvnWmxD
Обозрение "Terra & Comp".
