Новости науки "Русского переплета" Rambler's Top100
Портал | Содержание | О нас | Пишите | Новости | Книжная лавка | Голосование | Топ-лист | Регистрация | Дискуссия
Лучшие молодые
ученые России

Подписаться на новости

АВТОРСКИЕ НАУЧНЫЕ ОБОЗРЕНИЯ

"Физические явления на небесах" | "Terra & Comp" (Геология и компьютеры) | "Неизбежность странного микромира"| "Научно-популярное ревю"| "Биология и жизнь" | Теорфизика для малышей
Семинары - Конференции - Симпозиумы - Конкурсы

НАУКА В "РУССКОМ ПЕРЕПЛЕТЕ"
Проект поддержан Международной Соросовской Программой образования в области точных наук.
Новости из мира науки и техники
The Best of Russian Science and Technology
Страницу курирует проф. В.М.Липунов
"Русский переплет" зарегистрирован как СМИ. Свидетельство о регистрации в Министерстве печати РФ: Эл. #77-4362 от
5 февраля 2001 года. При полном или частичном использовании
материалов ссылка на www.pereplet.ru обязательна.

Тип запроса: "И" "Или"

13.06.2025
16:36

Предложен новый материал для кремниевых микросхем

    Проект реализовали по федеральной программе "Приоритет-2030"

    Сотрудники Национального исследовательского Нижегородского государственного университета им. Н. И. Лобачевского (ННГУ) предложили универсальные методы создания материалов для кремниевых микросхем, чтобы повысить их эффективность. Об этом сообщили ТАСС в пресс-службе вуза.

    "Нижегородские ученые получили пленку с кремнием в гексагональной фазе. Материал позволит повысить энергоэффективность транзисторов, добиться увеличения тока при меньшем напряжении. Разработка улучшит характеристики базовых элементов микросхем и производительность процессоров", - сказала собеседница агентства, подчеркнув, что проект является уникальным не только для российской, но и для мировой науки.

    По словам доцента кафедры квантовых и нейроморфных технологий физического факультета университета Лобачевского Антона Конакова, кремний в гексагональной фазе имеет особую кристаллическую структуру. "В определенных направлениях повышается проводимость материала, так что электрический ток будет выше. Обычно такие слои неустойчивы и легко превращаются в "обычный" кремний. Нам удалось стабилизировать гексагональную фазу. Это открывает новые перспективы для использования гексагонального кремния в промышленности", - пояснил Конаков.

    Материал выращивается на подложке из обычного кремния и стабилизируется верхним слоем германия. Между ними формируется однородный и сплошной слой кремния в гексагональной фазе. Эта пленка может быть использована на крупных участках микросхем с большим количеством контактов. Авторы планируют адаптировать и масштабировать разработку для внедрения материала в российскую кремниевую микроэлектронику.

    Автор разработки, доцент кафедры физики полупроводников, электроники и наноэлектроники физического факультета университета Лобачевского Николай Кривулин отметил, что, помимо технологий создания гексагональной фазы кремния, ученым удалось разработать ряд оригинальных систем для роста тонких пленок кремния и германия. "Эти решения тоже запатентованы. Их можно использовать для создания большого спектра материалов, например, для самых разных тонкопленочных структур, применяемых в микроэлектронной промышленности", - добавил Кривулин.

    Проект реализован по федеральной программе "Приоритет-2030". Разработка запатентована при поддержке Центра трансфера технологий ННГУ.

    По информации https://nauka.tass.ru/nauka/24181989

    Обозрение "Terra & Comp".

Помощь корреспонденту
Кнопка куратора
Добавить новость
Добавить новости
НАУКА В "РУССКОМ ПЕРЕПЛЕТЕ"

Если Вы хотите стать нашим корреспондентом напишите lipunov@sai.msu.ru

 

© 1999, 2000 "Русский переплет"
Дизайн - Алексей Комаров

Rambler's Top100